Els telèfons intel·ligents de gamma superior s'estan preparant per acollir una memòria extremadament més compacta i més ràpida que abans. De fet, es va presentar el més petit Xip de memòria UFS 4.0 mai fet per Micrón. L'empresa, líder del sector, ha confirmat que és una obra mestra de la tecnologia portàtil no només per la seva mida sinó també per les seves prestacions. Aquí teniu els detalls.
Tots els detalls de l'emmagatzematge UFS 4.0 de Micron
Això no és una tecnologia nova: ja el 2022 Samsung va presentar el seu emmagatzematge UFS 4.0. Tanmateix, el que distingeix la novetat de Micron és la seva mida i rendiment. Segons les dades facilitades per l'empresa, el les dimensions es redueixen un 20% en comparació amb el model anterior. Gràcies a les seves mesures de sols 9 × 13 mm, els dissenyadors ara tenen la capacitat de deixar més espai dins dels dispositius per a altres components essencials, com ara a bateria de major capacitat, millorant així l'autonomia sense sacrificar el rendiment.
Malgrat la seva compacitat, l'emmagatzematge UFS 4.0 de Micron no fa compromisos en termes de capacitat i velocitat d'emmagatzematge. Disponible a Configuracions de 256 GB, 512 GB i fins a 1 TB, ofereix velocitat de lectura e escriptura tocant i seqüencialment respectivament 4300 MB/sis 4000 MB/s. Un autèntic salt endavant si tenim en compte la importància de disposar de dispositius cada cop més ràpids i capaços de gestionar grans quantitats de dades en molt poc temps.
Micron ha integrat una característica patentada al seu xip, anomenada Mode d'alt rendiment (HPM), que us permet optimitzar el rendiment quan el telèfon intel·ligent està sotmès a càrregues de treball intenses. Aquest mode innovador us permet augmentar la velocitat de funcionament en un 25%, assegurant així una experiència d'usuari fluida i perfecta fins i tot en les situacions més exigents.
El que vindrà després d'aquesta memòria ultra ràpida i ultra compacta és fàcil de dir: telèfon intel·ligent més petits, piles més ampli i per tant llibertat major, disseny millor donada la compacitat dels dispositius ed millora de l'eficiència energètica donada la proximitat dels transistors.
