Hem sentit molt parlar del processador Snapdragon 835 per Qualcomm definint-lo com un dels millors chipsets del mercat amb alt rendiment, que recordem que també alimenta la part superior de la gamma Xiaomi Mi 6. No obstant això, després de l'èxit aconseguit per l'SD835, sembla que l'empresa nord-americana està treballant per crear una nova CPU que portaria el nom de Snapdragon 845.
Segons el que s'ha filtrat, Qualcomm basa la creació de la nova generació de xips, el Snapdragon 845, en un Procés de 7 nm. Es rumoreja que el nou chipset és desenvolupat en col·laboració amb Samsung i debutarà al mercat amb el telèfon intel·ligent Samsung Galaxy S9.
La següent generació de tecnologia de 7 nm va ser dissenyat per TMSC, una empresa amb seu a Taiwan que informa sobre han començat la producció del primer chipset de prova mentre la producció en massa començarà l'any vinent i que diversos fabricants com Qualcomm, MediaTek, Apple i Huawei ja estan interessats en aquesta tecnologia que tenen previst adoptar per als seus futurs chipsets.
Segons TSMC, aquest nou procés de 7 nm hauria d'oferir 25% / 35% més rendiment en comparació amb els que ofereix 10 nm, i que aproximadament el 95% dels components actualment adoptats en una CPU de 10 nm també es poden inserir a la nova CPU.
Amb això vam poder veure l'escenari de telèfons intel·ligents encara més prims, però també de bateries més grans i fins i tot millor rendiment que els models d'enguany. Qui sap si Xiaomi ja està pensant a aconseguir algunes unitats o es centrarà en la producció del seu propi chipset propietari?
Finalment, el telèfon intel·ligent tindrà un 90% de bateria
oh sí... la tendència del futur... sembla que ha passat un segle des que els telèfons mòbils acaben de trucar...